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【摘 要】
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GaN是一种性能优良的Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体材料,被誉为第三代半导体材料的典型代表,其研究和应用备受瞩目。基于GaN体系掺杂磁性杂质形成的稀磁半导体(DMS)由于其具有高于室温
【机 构】
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南京师范大学
【出 处】
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南京师范大学
【发表日期】
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2011年期
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