【摘 要】
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a-Si:H/c-Si异质结太阳电池（HAC）因高效、工艺简单、温度系数低等优势,在光伏电力领域前景广阔。氧化铟锡（ITO）薄膜作为HAC太阳电池的窗口层,承担着光生载流子收集、传输及减少光反射的功能。本文结合产线ITO磁控溅射（业内习称PVD）制备过程中的实际问题,对ITO工艺参数氧含量、氢含量进行调整优化研究;对ITO镀膜过程中的溅射损伤问题、载板影响等问题进行了实验研究;并从ITO的角度对H
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a-Si:H/c-Si异质结太阳电池（HAC）因高效、工艺简单、温度系数低等优势,在光伏电力领域前景广阔。氧化铟锡（ITO）薄膜作为HAC太阳电池的窗口层,承担着光生载流子收集、传输及减少光反射的功能。本文结合产线ITO磁控溅射（业内习称PVD）制备过程中的实际问题,对ITO工艺参数氧含量、氢含量进行调整优化研究;对ITO镀膜过程中的溅射损伤问题、载板影响等问题进行了实验研究;并从ITO的角度对HAC电池光热处理增效进行了分析。主要取得如下结果:1、氩氧气氛下,高功率镀ITO薄膜具有更优的透过和导电性能;通过调整氧气含量,2.0%时具有最优的光电性能(380-780nm平均透过率(TVL)接近90%,电阻率（ρ）4.29×10-4Ω·cm)。氩氧氢气氛下,3.0%氧含量时,掺氢使ITO薄膜ρ先下降后上升,TVL持续降低;4.0%氧含量时,掺氢会使ρ持续降低,TVL不断升高,获得较3.0%更高的迁移率（36.5cm~2/（V·s））和透过性(TVL（29）90%)。2、PVD生长ITO膜过程存在对前期CVD（化学气相沉积）生长的非晶硅薄膜的离子轰击损伤问题,使非晶硅薄膜钝化的硅片少子寿命严重下降;CVD与PVD过程共用载板会导致硅片钝化效果下降;CVD镀非晶硅层后,PVD镀ITO膜之前,硅片暴露大气会降低钝化效果,CVD-PVD连续镀膜可获得明显提高的更高的钝化性能。3、ITO薄膜光热处理后电学性能下降（电阻率上升、载流子浓度上升、迁移率下降）导致电池填充因子（FF）、短路电流密度(Jsc)下降,HAC电池效率降低;分析显示,光照对于ITO的影响机理实际在于光照的加热作用,蓝光因其加热作用大于红光,因此在同等光强条件下,其影响甚于红光。
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