黑硅因其独特的纳米结构，具有很宽的光谱吸收范围，极低的反射率，以及一些其他优良的特性，一经发现就获得了科学家们的广泛关注，在硅太阳能电池领域有着很大的应用潜力。但黑硅由于表面积的增大以及制备过程中引入的缺陷，具有较高的表面复合速率和较低的少数载流子寿命，因此，为了提高黑硅的性能，需要对其表面进行有效的钝化处理。采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积SiNx薄膜对常规电池表面具有不错的钝化效果，但是一方面该方法沉积的SiNx薄膜与黑硅表面的纳米结构之间的适形性并不太好，一些较深的坑洞中沉积的薄膜不均匀，不能与洞底部的硅紧密接触；另一方面，该设备投资大，生产成本较高，因而有必要探索更好的钝化方法。液相沉积（LPD）法，作为一种从湿法化学中发展起来的制备氧化物薄膜的方法，具有工艺简单、成本低、产量高等优点，适合商业生产，更为重要的是SiO₂薄膜对Si电池也具有极好的钝化效果，但是，研究液相沉积法制备的SiO₂薄膜对黑硅的钝化效果的工作尚不太多和深入。首先，本文对液相沉积法制备SiO₂薄膜的工艺进行了研究，主要研究了硼酸浓度、氟硅酸浓度、沉积温度和沉积时间对SiO₂薄膜生长的影响，通过扫描电子显微镜（SEM），傅里叶变换红外（FTIR）光谱仪等仪器对薄膜进行了测试和表征。表征结果显示，这些参数对SiO₂薄膜的生长速率和表面形貌都有较大的影响。其次，本文对液相沉积法制备的SiO₂薄膜的钝化性能进行了研究，在电池产线上对黑硅片进行LPD法镀膜，并制作成黑硅电池片.。结果表明，在黑硅电池片上能够生长出较均匀和致密的SiO₂薄膜，但是由于缺少体钝化效果，镀膜后少子寿命值的提升效果不明显导致电池的转化效率不高。总结而言，我们已经成功地在黑硅电池片上生长出LPD-SiO₂薄膜，后续的工作将在LPD工艺后增加一道氢钝化的工艺来增强其体钝化效果。因此，鉴于LPD法的优点，LPD-SiO₂薄膜将具有较好的应用前景。