有机场效应晶体管以其价格低廉、质量轻、可应用于柔性基底和可大面积制备等特点,在各种存储器件及显示装置方面显示了巨大的应用前景,而且经过近几十年的高速发展,有机场效应晶体管已经处在产业化的前沿。有机半导体材料作为有机场效应晶体管的核心组成部分,一直是众多科研工作者研究的重点。目前已经合成出许多高稳定、高迁移的有机半导体材料,而且有些材料的性能已经可以与无定形硅相媲美。有机小分子半导体材料作为有机半导体材料的重要组成部分,它的发展直接制约着有机场效应晶体管的应用。然而,目前高稳定、高迁移率的有机小分子半导体材料还是比较缺乏。我们基于对小分子有机半导体材料的研究特性,设计、合成了系列新型有机稠杂环小分子场效应晶体管半导体材料.具体内容如下：1、设计、合成了硫杂稠环化合物六元苯并噻吩(DBTTA),在CH2Cl2稀溶液(～10-5M)中UV-Vis光谱显示最大吸收峰为366nm,而且根据其吸收光谱起始位置估算出能级带隙宽度为3.3eV；热重分析结果表明DBTTA具有很好的热稳定性。2、设计、合成了带正已基支链的六元苯并噻吩(C6-DBTTA)和七元苯并噻吩(C6-DB5T),在CH2Cl2稀溶液(～10-5M)中UV-Vis光谱显示最大吸收峰分别为373nm和392nm。估算得出能隙宽度分别为3.2eV和3.0eV。在氮气氛中的TGA曲线显示出俩个化合物都具有很高的热稳定性。化合物C6-DBTTA和C6-DB5T的薄膜最高迁移分别为7.20×10-2cm2/(Vs)和.03×10-2cm2/(Vs)。3、设计、合成了二维稠环化合物BBBTBBT,在CH2Cl2稀溶液(～10-5M)中UV-Vis光谱显示最大吸收峰为347nm,估算得出能级带隙宽度为2.9eV；热重分析实验显示化合物BBBTBBT失重的起始温度为534℃,表明该类材料具有非常高的热稳定性。化合物BBBTBBT的薄膜迁移率最高位4.43×10-4cm2/(Vs)。