功率异质结双极型晶体管(HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较宽的线性和高的效率，在微波功率领域得到广泛应用，并扮演着越来越重要的角色。但是，由于器件本身的自加热效应的影响，工作环境温度的不同，器件特性会发生漂移，特性参数退化，而我们希望器件特性能够在较宽的温度范围内保持稳定。因此，对改善HBT温度特性的研究越来越受到人们的关注。　　一般而言，实际的HBT的基区杂质分布是不均匀的，因此，论文首先研究了基区杂质分布的非均匀性对HBT温度特性的影响，随后，基于“能带工程”（Ge组分分布），对改善基区非均匀掺杂的SiGe HBT温度特性的技术进行了研究。主要工作如下:　　首先，研究了基区不同杂质分布的SiGe HBTs的温度特性。以高斯分布形式的基区非均匀掺杂的SiGe HBT为例，研究了具有不同高斯分布的SiGe HBTs的体内纵向温度分布，以及增益、特征频率的温度特性。结果表明，杂质非均匀分布产生的阻滞电场给器件特性带来了一定的消极影响，随着基区非均匀掺杂的峰值浓度位置，从中性基区的发射极侧向集电极侧移动，器件的增益和特征频率值下降，但峰值温度有所下降，增益和特征频率的温度特性有所改善。　　其次，研究了基区不同Ge组分分布的SiGe HBTs的温度特性。发现，基区引入Ge组分线性缓变，产生了少子加速电场，不但可以增加HBT的增益和特征频率值，而且也可以改善HBT的增益和特征频率随温度的变化。对基区非均匀掺杂的HBT，简单地在基区引入Ge组分线性缓变，可以在一定程度上补偿杂质缓变产生的阻滞电场，改善器件的一些特性，但这种改善有限。　　最后，提出一种改善SiGe HBT电学性能及其温度特性的基区Ge组分梯形分布形式——先线性缓变再均匀分布。大的Ge组分缓变梯度，有效地补偿了杂质缓变产生的阻滞电场，扩展了加速电场的区域范围。这种基区Ge组分梯形分布形式，不但提高了HBT增益和特征频率值，还改善了增益和特征频率对温度的敏感性，器件体内有较好的温度分布。这对设计和制造宽温区工作的SiGeHBTs很有参考价值。