作为第三代宽带隙半导体材料，碳化硅(SiC)具有的宽带隙、高热导率、高饱和电子迁移率及优异抗辐射能力等优异性能，在高温、高频、高功率电子器件方面有着巨大的应用潜力。目前，由于我国SiC单晶产业起步较晚，碳化硅晶片技术仍存在较多困难，特别是大尺寸SiC单晶生长、加工技术急需提高。本论文针对SiC晶片生产中的一些重要技术问题，与企业技术人员合作，在对改进SiC晶体生长工艺、优化生长设备及回收加工磨料方面做了一些分析研究，获得了如下结果：第一，分析了物理气相传输法生长SiC晶体，原料高温线的形成机理和导致晶体开裂的晶体凸度问题。认为解决晶体凸度问题关键在于减少径向温度梯度。设计了一个生长室的温度梯度模型，采取抬高籽晶位置的方法，部分解决了晶体凸度过大而引起的晶体开裂问题。第二，设计了一种籽晶杆提拉定位器，在装炉时可判断SiC原料坩埚的准确位置，制造简单，操作方便。相比原先的依靠工人感觉来定位，精度有了很大的提高。第三，提纯金刚石磨料技术，采用化学试剂清洗结合空气环境热处理，将回收的金刚石磨料中的金属和石墨杂质有效消除，达到提纯效果，降低了晶体加工成本。第四，提出了原料热处理和装料的标准。在原料热处理分析中增加了原料表面结晶情况的参数；剖析了颗粒度大小对装料的影响，建议对碳化硅原料进行振荡，以保证原料质量的一致性。以上技术成果，有望对提高企业的SiC晶片生产效率，降低生产成本产生有益的帮助。