SiC一维纳米材料的生产工艺及生长机理研究

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本文通过化学气相反应(CVR)法,采用经高能球磨处理的Si-SiO2混合粉体和高纯CH4为反应原料,分别在单室可控气氛炉和三室连续式真空可控气氛炉中进行了合成工艺的优化实验,系统研究了各工艺参数对SiC一维纳米材料产量、形貌、尺寸、结构和生长机理的影响机制,获得了在单室可控气氛炉和三室连续生产式真空可控气氛炉中的优化工艺,并对其相应的合成机理进行了研究。这为SiC一维纳米材料优异性能的进一步研究及其工业化应用提供基础。主要内容包括以下几方面:首先进行了SiC一维纳米材料的单室可控气氛炉生产工
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