本文研究了外延法生长金刚石薄膜和包银金刚石颗粒的场发射特性。目的在于探索金刚石的场发射机制。实验中外延金刚石薄膜采用热丝CVD法生长,生长于事先电泳沉积在硅衬底的金刚石微粒上。场发射测试结果表明,金刚石薄膜的阈值电场为1.8V/μm,场发射测试过程真空度为10^-4Pa。包银金刚石颗粒的制取采用化学还原法。利用葡萄糖的还原性将银盐中的银还原出来,在超声的条件下,还原出的银将包覆在分散于溶液中的金刚石颗粒上。然后用电泳法将制好包银金刚石颗粒沉积于ITO玻璃上。经过场发射测试,包银金刚石的阈值电场为5 V/μm,场发射测试过程真空度为10-4Pa。实验中通过SEM、XRD和Raman等测试手段,对样品的成分、结构做出分析。根据实验数据和样品的成分、结构分析,对金刚石场发射特点和场发射机制作出尝试性的理论探讨。从实验数据上看,电泳金刚石的场发射效果不十分理想,但经过外延生长和包银处理后,场发射特性得到了明显的改善,这说明金刚石表面修饰对金刚石场发射有重要意义。