【摘 要】
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该文分析了EmbeddedSRAM和CAM不能作为SoC中大容量存储器的原因以及独立DRAM中的特殊结构和所用到的特殊工艺,并在此基础上介绍了EmbeddedDRAM的概念和基本原理.结合up建库的
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该文分析了EmbeddedSRAM和CAM不能作为SoC中大容量存储器的原因以及独立DRAM中的特殊结构和所用到的特殊工艺,并在此基础上介绍了EmbeddedDRAM的概念和基本原理.结合up建库的需要,作者对一个32位1M字节的EmbeddedDRAM电路进行了实际设计.整个电路包括存储矩阵,灵灵放大器,译码器,外围输入/输出等组成部分.为了克服使用标准CMOS工艺实现的EmbeddedDRAM存储密度低的缺点,在设计中,一方面将存储电容用"双平行板电容"实现,使单位面积的存储电容较普通平行板电容提高1.5-1.6倍;另一方面对灵敏度大器的灵密度进行了深入的剖析并对存储矩阵的整体结构进行了调整,以非对称的形式实现,降低电路对大存储电容的依赖.为适应某些特殊应用,设计者可以将EmbeddedDRAM的访问时间和单位存储面积进一步减小;也可以将成品率和灵敏放大器的灵敏度进一步提高.其中用到的双门管eD<2>RAM,访问流水化设计,4级电压存储,阈值电压补偿,冗余等技术在文章的最后部分也进行了介绍.
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