磁电复合材料通常同时具有铁电性和铁磁性,当这两种有序量发生耦合时复合材料会产生磁电效应。因此,其在换能器、传感器及存储器等微型器件中有很好的应用前景。本论文的主要工作是研究室温下CoFe2O4陶瓷基磁电复合结构及其“磁控电”行为。论文首先分别探索了组成磁电复合结构的铁电相和铁磁相的制备工艺,通过溶胶-凝胶法制备得到连续的PbZr0.52Ti0.48O3膜(PZT),采用放电等离子体烧结方法制备得到致密的CoFe2O4陶瓷(CFO),同时优化它们的工艺参数以获得性能优异的铁电、铁磁相。然后,室温下采用溶胶-凝胶法在抛光的CFO陶瓷上生长PZT薄膜,并研究这种PZT/CFO膜/陶瓷结构的“磁控电”行为,最后,通过研究PZT厚度效应和引入La NiO3底电极来优化PZT/CFO复合结构的性能。通过研究可知:“铁电膜/铁磁陶瓷基片”复合结构表现出明显的磁电效应,磁电耦合系数αE31随直流磁场的变化规律与CFO的磁致伸缩变化率随直流磁场的变化关系一致,这表明该复合结构中的耦合机制类似于块体中的以应力(变)为中介的“磁-力-电”耦合。通过优化PZT薄膜的厚度,PZT/CFO结构面内磁电耦合系数αE31的最大值可达76 mV/cm·Oe。通过在PZT膜和CFO陶瓷之间引入LNO底电极层来提高电极对电荷的搜集能力,LNO底电极的加入明显改善了PZT/CFO结构的磁电信号输出,使其磁电耦合系数增加至原来的两倍。