该文采用Kronig-Penny模型对多量子阱和超晶格材料的能带结构进行了分析.研究了平面双轴应变对半导体材料能带结构的影响.在半导体激光器件设计理论的指导下,在总结实验的基础上,设计出具有超晶格缓冲层的大功率量子阱半导体激光器芯片材料的结构,并在Riber32P分子束外延系统上研制成功可在室温下连续波工作的808nm大功率量子阱半导体激光器芯片材料.测得器件主要性能指标为:200×300μm宽接触芯片的阈值电流密度为500~600A/cm<'2>;100×800μm大功率未镀膜管芯典型阈值电流为366.7mA,微分量子效率为0.8035W/A,在1507mA工作电流下输出功率可达1W,谱线宽度1.5nm.采用X射线双晶衍射的实验手段对所研制的芯片材料进行了分析,同时对超晶格缓冲层所具有的掩埋缺陷、隔离杂质的"量子阱陷阱效应"进行了详细地分析,并获得了初步结果.