【摘 要】
：
InAs1-xSbx和GaxIn1-xAs1-ySby是两种典型的中红外锑化物半导体材料,前者能够通过调节组分使其禁带宽度值覆盖3～5μm和8～14μm两个大气窗口,而后者能够在与GaSb衬底晶格匹配的
论文部分内容阅读
InAs1-xSbx和GaxIn1-xAs1-ySby是两种典型的中红外锑化物半导体材料,前者能够通过调节组分使其禁带宽度值覆盖3～5μm和8～14μm两个大气窗口,而后者能够在与GaSb衬底晶格匹配的条件下,通过组分调节覆盖1.7～4.2μm的波长范围,引起了相关研究者对这两种锑化物半导体材料在热光伏领域的关注。本论文的主要工作分为两个方面:一,研究中红外InAsSb材料的金属有机化学气相淀积（MOCVD）生长特性。首先采用低压MOCVD系统外延生长InAsSb材料,掌握了InAsSb半导体材料的MOCVD生长方法。其次,采用多种表征手段对InAsSb外延材料进行表征。二,为设计和制作可应用于中红外波段的高性能GaInAsSb热光伏器件,进行了热光伏器件的模拟分析,通过对基于带隙为0.56eV的GaInAsSb材料的热光伏电池模型的暗电流和内量子效率的模拟,讨论了热光伏电池主要的结构和材料参数对器件性能参数的影响。通过本工作一方面掌握了InAsSb材料MOCVD生长的工艺技术,并通过对实验结果的分析讨论了各生长参数对材料性能的影响。另一方面研究器件参数对GaInAsSb热光伏电池性能的影响,进而获得高性能热光伏电池的器件参数。为今后制作基于GaInAsSb材料的热光伏器件奠定基础。
其他文献
声源搜寻机器人是由麦克风阵列、磁阻传感器、无线传感器网络节点、移动小车组成的系统,利用麦克风传感器阵列采集语音信息,利用磁阻传感器测量航向角,能够实现声源识别、声
本文基于pipeline ADC工作原理,针对功耗和线性度两个方面,结合SMIC0.18μm模数混合工艺模型,进行了自顶向下(Top-Down)正向建模。在优化pipelineADC系统功耗的同时,结合线性
近年来,国际技术贸易发展加速。国家间的技术差距是国际技术贸易产生的直接原因。科技实力与国际技术贸易,尤其是技术出口紧密相关。探求两者之间的关系,对于加快发展国际技
随着集成电路技术与无线通信设备的迅速发展,低压低功耗模拟集成电路设计逐渐成为一项热门技术,尤其是两者的交叉学科-射频集成电路技术的研究更成为热点中的热点。作为接收
随着现代信息技术的发展,稀磁半导体因其独特的性质而备受人们关注,它将自旋和电荷两个自由度集于同一基体,同时具备有磁性材料和半导体材料的特性,在自旋电子学以及光电子领
集成电路自问世半个世纪以来,已深刻的影响了我们生活的方方面面。与数字集成电路相比,模拟集成电路设计受工艺,噪声等因素影响较大,因此,模拟集成电路设计依赖于设计师的经
动物营养生态位是指生物体在其群落中的机能和地位,强调物种和其他物种间的营养关系。食性和食物竞争是相同营养级动物营养生态位研究的重点内容。地下啮齿动物由于独特的地
随着经济的全球化发展和社会主义思想道德建设的完善,国民越发关注核心素养的培养,如何更好地促进学生核心素养的发展也成为学校研究的重点。本文以体育核心素养背景下小学体
采用乙醇注入法制备盐酸特比萘芬脂质体。在单因素试验基础上,以包封率为考察指标,采用Box-Behnken设计及响应面法优化了磷脂浓度、磷脂与药物质量比和磷脂与胆固醇质量比。
随着非球面元件设计和加工技术的发展,在光学仪器的设计和制造中,非球面元件的特殊作用越来越显著,而对非球面光学元件的面形及其参数的检测也就提出了越来越高的要求。本文