本文研究了利用氮等离子体辅助的分子束外延设备制备的一系列氮化锰薄膜Mn3N2、Mn2N、Mn4N的磁性能。通过RHEED、XRD、XPS、SEM、AFM以及SQUID等手段对薄膜的结构和性能进行了测量和分析，结果发现，在晶格失配较大的情况下，两种不同晶格常数的Mn3N2出现伴生情况，来减少晶格失配。室温Mn3N2薄膜表现铁磁性，主要归因于复杂的晶界处Mn原子自旋分布不对称。相同条件下，通过改变锰源温度，研究了六方Mn2N和立方Mn4N薄膜的变化。锰源温度从900℃变化到1100℃，六方Mn2N薄膜中锰含量随之发生变化，先后得到Mn2N1.06、Mn2N0.98和Mn2N0.86。磁性测量中，室温下，只有Mn2N0.86薄膜表现了弱铁磁性，这主要是由于薄膜中存在应力，导致晶格被拉伸。锰源温度的改变对Mn4N薄膜的影响主要集中表现薄膜形貌的变化上。锰源温度为1000℃时，Mn4N薄膜为单晶薄膜，生长方向为<100>方向，且具有较好的平整性；当温度升高或是降低，薄膜中开始出现<111>结晶方向，锰源温度降低为900℃，薄膜中出现MnN0.86相。我们认为Mn4N结构中最容易从(111)面向Mn2N发生结构相变。文中还对Mn4N薄膜的磁性做了一定的讨论。