氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。相比传统的半导体材料，ZnO薄膜具有成本低廉，生长温度低，禁带宽度大(3．37eV)，激子复合能高(60meV)，受激辐射阈值较低，能量转换效率高等优点。近年来，ZnO作为宽禁带半导体材料的研究尤其受到人们的重视。在本论文中，我们发展了一种简单的制备ZnO薄膜的方法一热蒸发分解法，并通过衬底温度控制，得到两种导电类型的薄3膜(p型／n型)。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、荧光光谱仪等手段对ZnO薄膜的结构和电学、光学性能进行了分析。通过SEM观察，发现在不同衬底温度下，薄膜表面具有不同形貌特征。XRD结果表明，ZnO薄膜为六角纤锌矿结构，但在高角度时可以观察到衍射峰的分裂，表明了ZnO薄膜中结构的非均一性。所得到的ZnO薄膜在蓝光波段具有强烈的受激发射。霍尔效应测量显示在衬底温度低于480℃时，薄膜为空穴导电(p-type)，而高于480℃时，为电子导电(n-type)。并在此基础上探讨了热蒸发分解方法中各种工艺参数对于ZnO薄膜性能和结构的影响，通过参数优化，得到了高载流子浓度、低电阻率的p型导电ZnO薄膜。