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半导体器件由于其独特的导电性能、能耗低和易于集成等优点被广泛应用于能源、通信、医疗及军事等领域上。在半导体器件的大家族中,以硅及其相关材料形成的器件为主。随着信息技术的不断发展,生产制备技术和工艺水平的提高,已经研制出了种类繁多、功能各异的硅基器件。本文采用射频磁控共溅射方法沉积非晶硅钌(a-Si1-xRux)合金薄膜,研究金属元素Ru的引入对制备态以及退火态薄膜微结构和光电性能的影响。研究发现,随着Ru名义浓度的增加,非晶网络的短程有序度有所下降,但适量的Ru掺杂可使非晶硅薄膜的光学带隙减小,同时