随着科技的发展,超高速电子器件及光电子器件发展很快,特别是一些新的半导体材料制造技术的应用,使得半导体器件的响应速度已达到几个皮秒甚至亚皮秒。这些高速器件的带宽,已经远超过了传统的纯电子测量技术的能力,因此必须寻找新的测量方法。而光电导采样测量技术是利用快速光电导开关作为采样门来测量高速电信号波形的一种激光探针测量技术,它可以实现非常高的系统测量电压灵敏度和信噪比,系统测量带宽可达THz。在这种背景下,本文结合传统光刻工艺与原子力显微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)阳极诱导氧化加工技术,制作超快高性能的光电导开关,对开关的光电导采样测量方法进行了研究,设计了光电导开关的光电导采样测量系统。本文的主要研究内容和研究结果如下:1.通过比较各种常用光电导材料和传输线样式的优缺点,针对本文要实现的功能,选定采用GaAs作为光电导开关的衬底,设计了专门针对光电导开关的光导采样测量方法的开关的传输线版图结构;2.从理论上分析了开关的等效电路结构,对光电导开关的信号产生门和采样门的工作原理和输出情况进行了分析,并用MATLAB分别对其输出信号进行了模拟和频谱分析;3.研究了光电导开关的工艺流程:电极制作、钛膜的制备、氧化钛线的加工,并对每一环节结束后的开关进行性能测试;4.结合光电导采样测量的工作原理,设计了光电导开关的光导采样测量系统,包括:延迟采样、微电流放大、锁相信号检测模块的设计。