【摘 要】
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带隙基准电压源是许多模拟电路和电子系统中的重要组成模块，它已被广泛的应用在比较器、数字/模拟转化器、模拟/数字转化器、动态存储器、闪速存储器和其它的模拟和数字电路中
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带隙基准电压源是许多模拟电路和电子系统中的重要组成模块，它已被广泛的应用在比较器、数字/模拟转化器、模拟/数字转化器、动态存储器、闪速存储器和其它的模拟和数字电路中，因此对集成于SOC中的高性能带隙基准电压研究具有重要的意义。一般的一阶温度补偿带隙基准的温度系数是30ppm/℃，随着深亚微米集成电路技术的的不断发展，一阶温度补偿带隙基准不能满足高精度系的要求，所以对高阶温度补偿带隙基准的研究就变得十分必要。
本文首先介绍了带隙基准的国内外发展的状况及趋势，然后介绍了带隙基准的性能指标和工作原理，并对一阶温度补偿和二阶温度补偿结构原理进行了比较分析。
在对各种带隙基准电压源分析比较的基础上，本文提出了一种采用 TSMC0.35μm CMOS工艺制作，应用于一款LED驱动芯片的二阶温度补偿的高精度带隙基准电压源电路，该电路具有高电源抑制比和低的温度系数。整体电路用HSPICE进行仿真，仿真结果表明，在-25～+125℃温度范围内电路的温度系数为1.85ppm/℃，电源抑制比达到-80dB，电源电压在4.5～5.5V之间输出电压Vref的摆动为0.41mV，是一种有效的基准电压实现方法。
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