本文研究了采用离子束溅射方法在硅单晶表面获得量子点阵列的实验条件，并对其产生的机理做了细致地分析，研究了在束流密度大小为20μA/cm2的低束流密度正入射的Ar+离子束溅射Si(100)单晶表面后，样品表面的形貌变化，系统研究了Si(100)表面溅射得到量子点尺寸、样品表面粗糙度和离子束束流密度之间的关系，以及对束流密度分别为20和380μA/cm2的溅射条件下，溅射后样品表面粗糙度和样品表面温度间的变化关系，利用磁控溅射技术，采用Si和Si02两种靶材共溅射再热处理的方法在光学石英玻璃衬底上制备纳米硅颗粒镶嵌薄膜。并对得到的薄膜光学性质进行了初步的研究，采用Z-scan技术测量了在连续激光束辐照下薄膜的非线性光学性质，发现样品具有较大的光-热致非线性折射率和较强的负透镜效应。