由于量子点具有热稳定性高,发射光谱色域纯,发光效率高以及波长可调谐等优点,被广泛应用于发光二极管（LED）,激光器和太阳能电池等领域。QD-LED具有高亮度,高显色指数,光谱可调控等优点,目前被认为是下一代显示技术中最有竞争力的技术之一。QD-LED器件由电极,载流子传输层和发光层等功能层组成。每个功能层的性能对QD-LED的发光特性均有重要的影响,QD-LED性能的优化除了增强量子点材料的发光效率之外,还需要通过不断改进和优化个功能层参数,本论文从电极层、空穴传输层和量子点材料本身性能的优化三个方面开展对QD-LED发光特性的研究。本论文的主要研究工作为:1.基于PEDOT:PSS薄膜导电电极性能的优化:研究不同处理方式（滴定和浸湿乙二醇）对PEDOT:PSS薄膜导电能力的影响。制备了两组样品,实验发现浸湿条件下处理的薄膜导电性能更优;其次,在浸湿的基础上,又对比了不同浸湿温度和不同浸湿时间下的薄膜样品,发现浸湿时间为10 min,浸湿温度为110℃时的薄膜的导电性能最佳,环境稳定性相对较高,最后,研究了多层薄膜的方阻变化,实验随着薄膜厚度增加,PEDOT:PSS的导电能力增加,且环境稳定性也变高。2.研究混合空穴材料对QD-LED性能的影响:采用Poly-TPD和PVK两种材料作为空穴传输层,通过旋涂和蒸镀的方式分别制备了具有不同空穴传输层的QD-LED器件。实验对比发现Poly-TPD和PVK的质量比为1:1时,器件的发光强度最高,这与Poly-TPD和PVK的能级结构和空穴迁移率密切相关,质量为1:1时的器件结合了PVK低的HOMO能级和Poly-TPD高的空穴迁移率,使得空穴的注入和传输更加有效,提高了电子和空穴的复合效率。3.甲脒（FA）和甲醚（MA）掺杂类铅溴钙钛矿纳米晶体及其LED的性能的优化:实验在室温下制备了FA_1-xMA_xPbBr₃纳米晶体并制备了相应的LED器件。通过实验发现掺杂了MA的纳米晶体尺寸变小,且随着MA掺杂摩尔比升高,样品的PL发光峰值出现了红移。同时发现随着MA的掺杂,钙钛矿LED的转换效率变高,这归因于MAPbBr₃相比FAPbBr₃更长的载流子扩散长度,以保证空穴和电子可以更有效的复合。