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【摘 要】
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该论文对SOI（Silicon on Insulator）应变SiGe沟道BiCMOS器件及应用电路进行了模拟和实验研究.SOI部分耗尽MOSFET相对于体硅MOSFET而言,具有许多优点：源漏结寄生电容小、工作速度
【机 构】
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天津大学
【出 处】
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天津大学
【发表日期】
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2002年期
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