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【摘 要】
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ZnO是一种具有纤锌矿结构的宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3.3eV，激子束缚能为60meV，这比同是宽禁带材料的ZnSe（20mev）和GaN（21meV）都高出许多，而且比GaN，SiC和其它Ⅱ-Ⅵ
【机 构】
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华东师范大学
【出 处】
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华东师范大学
【发表日期】
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2006年期
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