Co/Pt多层膜由于其垂直各向异性而受到广泛关注。Co/Pt多层膜的垂直磁各向异性来源于铁磁层的厚度很薄时界面各向异性占主导。Co/Pt多层膜的研究将会极大地推进磁存储技术的发展,是磁电子学研究中的一个非常有意义的课题。　　 本文主要研究Co/Pt多层膜的磁化和Co/Pt多层膜与反铁磁层组成的系统的交换偏置现象。主要结论如下:　　 1.当Co/Pt多层膜中Co层总厚度tCo保持常数时,Co/Pt多层的矫顽力随着Co层厚度tx的增加而增加。当Co层厚度tx相同时,矫顽力随着Co层的总厚度tCo的增加会先增加后减少。这是由于磁化反转期间,与不一致转动相关的Hc的减少和由Co和Pt的界面Pt原子的磁极化带来的HC的增加之间的竞争造成的。Co层的总厚度tCo对Co/Pt多层的矫顽力的影响比Co层厚度tx的影响要弱一些。　　 2.我们研究了具有垂直交换偏置的(Co/Pt)5/Co/FeMn多层膜在外磁场和膜面法向成不同角度时的磁化反转过程,由于Co/Pt多层膜垂直各向异性较强,远大于单向交换各向异性,因此,在一个比较大的角度变化范围内,交换偏置多层膜中的磁化强度矢量在外场减少时总是转向最邻近的易轴方向,而不总是转向单向各向异性的方向,所以磁化强度矢量能够在整个xy平面内转动,与没有FeMn层的Co/Pt多层膜的磁化一样。矫顽力Hc和交换偏置场HEB分别表现出单轴对称性和单向对称性。随着角度θ从0增加到90°,交换偏置场减小;而由于磁化反转过程存在成核长大的过程,矫顽力随角度θ从0增加到90°而增加。磁化反转的角度依赖结果还表明在我们的样品中,顺时针或逆时针转动样品测量在相同角度所得到的磁滞回线是相同的,没有磁滞现象。　　 3.我们研究了反铁磁层厚度tAF对钴/铂/铁锰多层膜的物理性质的影响。XMCD测量结果表明在铁磁/反铁磁界面有反铁磁层的净磁矩,这些净磁矩仅来自于铁元素。在界面的铁的净磁矩和钴的磁矩共线,都是倾向于垂直于膜面排列。随着tAF增加,HEB增加直到饱和,而HC先增加,达到峰值后再轻微减少,在tAF>75(A)以后,HEB和HC都几乎不变了。对于任意tAF值的样品都看不到磁锻炼效应。在磁化反转过程中,成核模式是主导的。