本文研究了具有单一晶界的纯Al双晶的内耗，着重研究取向差和晶界类型等结构因素对晶界弛豫的影响。所用双晶试样包含了以＜112＞为转轴的平直对称倾侧晶界，取向差分别为：5.8°，11.1°，14.1°，33.8°(～∑35，34.0°)，40.2°，44.0°(～∑21，44.4°)，包括小角度晶界，大角度无规晶界和大角度高∑CSL晶界三种晶界类型。在双晶试样中观察到了由晶界引起的弛豫型内耗峰。由双晶的内耗实验首次观察到，小角度晶界和大角度晶界的弛豫参量有明显差别，反映了二者之间的结构转变。采用耦合模型对晶界内耗进行了分析。结果表明：不同类型晶界的耦合强度不同。小角度晶界的耦合强度较低，耦合作用对弛豫过程的影响可以忽略，认为小角度晶界内耗峰的基本机制是位错攀移。大角度晶界的耦合强度较高，其较高的测量激活能是由弛豫单元间的强耦合作用引起的。用耦合模型对实验数据进行解耦后，得知大角度晶界内耗峰的基本机制是晶界扩散。从而阐明了不同类型晶界内耗的微观机制。采用不同Ga含量(10 ppm，50 ppm，410 ppm)的Al多晶试样，研究了微量Ga对晶界内耗的影响，以及试样经不同模式形变(静态蠕变，循环扭转)后的晶界内耗。研究表明，可以用测量晶界内耗的方法研究杂质偏聚和形变模式对晶界弛豫的影响。