氧化物一维纳米材料,由于其优异的光电性能,近些年来受到了人们越来越多的关注。目前,控制生长不同形貌和结构氧化物纳米材料的研究已经取得巨大进展,部分研究者们已经开始着眼于一维氧化物纳米材料器件的制备和应用的研究,许多的研究成果见于各种报道中。因此,开展一维氧化物纳米材料的生长制备,同时关注其可能的潜在应用,开发和探索相应的器件,对于一维氧化物纳米材料走向市场具有重要的意义。　　 在这篇论文中,首先,采用化学气相沉积法(CVD)制备了几种一维氧化物纳米材料。合成了氧化锌锡(ZTO)纳米线,硫化锌/氧化锌锡(ZnS/ZTO)双轴异质结纳米线,研究其相应的光电性能和生长机理。探索了一种新的可以在大范围区域合成氧化锌(ZnO)纳米带的新方法,通过对实验条件的调节,可以控制生长出不同厚度的ZnO纳米带,探讨了其生长的机理。发展了一种新的氧化铟锡(ITO)纳米线的CVD合成方法,在相对低的温度下合成了高质量的ITO纳米线,研究了ITO纳米线的光学和电学性能。　　 接着,基于合成的ZTO纳米线(ZTO NW),采用紫外曝光套刻的工艺制备了Cu/ZTO NW/Pd的忆阻器。详细介绍了器件制备的工艺,并对器件的性能进行了仔细表征。该器件具有开启电压小、保持时间长、开关比大和响应速度快等优异的存储特性。器件阻态的转变机理是连接两电极的ZTO NW表面上的导电通道的形成和断开。　　 最后,采用简单的溶液浸泡的方法制备了不同方阻值的碳纳米管/化纤布的复合材料,组装了平板式和卷绕式电化学电容器,对其性能进行了研究。进一步地,利用CVD方法直接生长的碳纳米管薄膜,结合电化学电镀的方法,在碳纳米管连续网络薄膜上电镀ZnO纳米颗粒,以ZnO纳米颗粒/碳纳米管连续网络复合薄膜为电极,组装了电化学电容器,对电极材料的电化学性质进行了表征。