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采用提拉法生长得到了La3Ga5SiO14(LGS)及其同构物A3BGa3Si2O14(A=Ca,Sr；B=Nb,Ta)系列晶体，对其晶体结构和性能，尤其是热学性能进行了研究。主要内容包括：
1、研究了LGS晶体斜肩和平肩的生长，探索出优质单晶体的最佳生长工艺。用X-射线粉末衍射对生长的LGS晶体结构进行了鉴定，结果表明，生长的晶体为Ca3Ga2Ge4O14型单一相结构。对分析纯原料斜肩生长的LGS晶体以及高纯原料生长的LGS晶体，用UV/Vis/NIR Hitachi U-3500分光光度计进行了透过光谱测试，波段为200-3200nm，波长扫描速率为120(300)nm/min，狭缝为3mm，入射光垂直于测试面。发现晶体的透过率较高，最高达83％，同时表明要得到高透过率的LGS单晶，生长气氛中氧的含量应少一些比较好。
采用Netzsch differential scanning calorimetric(DSC)SAT409 EP测定晶体的熔点。发现用高纯原料生长的晶体的熔点在1480℃左右，而分析纯原料生长的LGS晶体，熔点为1371℃，这可能是所用的原料纯度太低(99％La2O3，98Ga2O3，99％SiO2)造成的。在298.15K和453.15K时，LGS晶体的比热分别为0.6J/g·K和0.90J/g·K；在298.15K至472.15K之间测的晶体沿Z轴的平均线性膨胀系数为3.8×10-6K-1，而Y轴为5×10-6K-1。
2、在生长LGS晶体的基础上，生长了A3BGa3Si2O14(ABGS：A=Ca2+,Sr2+；B=Nb5+，Ta5+)系列晶体。利用四圆衍射仪对Ca3TaGa3Si2O14(CTGS)晶体的结构进行了解析，表明该晶体为32点群，跟LGS晶体同构。测试了其粉末衍射，得到了这几种晶体的结构，并计算了晶胞参数，分别为：CNGS：a=8.0869A,c=4.9743A；CTGS：a=8.0983A，c=4.9769A；SNGS：a=8.1621A,c=5.0808A;STGS：a=8.3327A,c=5.0945A。测试了ABGS系列晶体的透过光谱，透过波段在200-3200nm，光线垂直于(010)面，发现其截止波长均在250-300nm之间。最高透过率都在82％以上。
对制备得到的A3BGa3Si2O14(A=Ca2+，Sr2+；B=Nb5+，Ta5+)系列晶体的热学性能进行了测试分析。DTA的测试结果表明四种晶体的熔点分别为：CNGS：
1349.9℃，CTGS：1368℃，SNGS：1415.4℃，STGS：1364.8℃：室温下，CNGS、CTGS、SNGS、STGS四种晶体的比热分别为：554.9671、411.0496、447.9083、457.2141J/mol.K；在283.15-403.15K之间，四种晶体的热膨胀系数随温度均为线性增加，热膨胀系数分别为：CNGS：α1=1.7x10-6/K，α3=0；CTGS：α1=3.7x10-6/K，α3=5.2x10-6/K；SNGS：α1=7.0x10-6/K，α3=2.7x10-6/K：STGS：α1=9.7x10-6/K，α3=3.2x10-6/K。