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ZnGa_2O_4是一种AB_2O_4型尖晶石氧化物发光材料,因其良好的稳定性和高的发光纯度而在真空荧光显示器、场发射显示器、阴极射线发光等方面显示出广阔的应用前景,得到了人们的广泛关注。在AB_2O_4型氧化物尖晶石结构中,氧离子作立方密堆积形成两种空隙:四面体和八面体,阳离子分别填充在这两种空隙中。阳离子在四面体和八面体两种晶格位置的分布受材料组成、制备方法、晶粒大小、阳离子半径、晶体场稳定化能等多种因素的影响。材料微观结构中阳离子分布的变化会致使晶格畸变,从而对材料的宏观发光性能产生影响。在本