本文采用线性组合算符方法，在有效质量近似下，深入广泛地研究了抛物形半导体量子点中强、弱耦合激子的基态性质。 第一章绪论，介绍了本文的研究背景和意义。 第二章研究了抛物形半导体量子点中弱耦合激子的基态性质。讨论了轻、重空穴激子的基态能量随量子点半径和量子点受限强度的变化关系，结果表明：在有效质量近似下，轻、重空穴激子的基态能量随量子点半径的减少而增大，随量子点受限强度的增大而增大。当量子点半径一定时，重空穴激子的基态能量大于轻空穴激子的能量，在量子点受限强度一定时，轻空穴激子的基态能量大于重空穴激子的能量，其能量间的差异随受限强度的增大而增大。 第三章研究了抛物形半导体量子点中强耦合激子的基态性质。讨论了考虑电子-声子相互作用和不考虑电子-声子相互作用时激子的基态能量随量子点半径和量子点受限强度的变化关系。结果表明：无论是考虑电子-声子相互作用还是不考虑电子-声子相互作用激子的基态能量都随量子点半径的增大而减少，随量子点受限强度的增大而增大。当量子点半径一定时，考虑电子-声子相互作用的激子的基态能量高于不考虑电子-声子相互作用的能量，其能量间的差异随量子点半径的增大而增大。 第四章主要结论。