目前射频识别（Radio Frequency Identification,RFID）在低频和高频频段已经获得广泛应用,而在超高频（UHF）频段上,RFID标签和阅读器尚处于研发阶段。本论文的工作是根据超高频射频识别（UHF RFID）技术的应用背景以及对低功耗、便携式和多频带阅读器的需求,设计了一个基于SMIC 0.18μm CMOS工艺、适用于阅读器单芯片集成的860MHz～960MHz频带的两级AB类射频功率放大器。论文首先总结了各类功率放大器的工作原理与特点,给出了AB类功率放大器的理论分析与计算,简要介绍了射频功率放大器的线性增强技术、效率提升技术、稳定性技术和宽带匹配技术等关键技术,阐述了射频功率放大器的CMOS设计所面临的困难和挑战。根据设计目标和射频功率放大器的设计流程,分别给出了各部分电路的具体设计过程。特别针对射频功率放大器的带宽,给出了具有精确带宽的输出匹配电路设计;针对射频功率放大器的稳定度也给出了详细的考虑和解决方法。论文提出了两项电路级的线性化技术,即电容补偿技术和二极管线性化技术,并给出了详细讨论和相关设计。仿真结果显示采用线性化技术后射频功率放大器的输入P_1dB和IIP3改善了约17dB。最后给出了射频功率放大器的版图设计与后仿真。本论文设计的两级AB类射频功率放大器完成的各项指标:3.3V电源电压线性输出功率为23.5dBm,功率增益19.1dB,功耗27dBm,最大效率（PAE）为48%,输入P_1dB为5.03dBm,IIP3为13dBm;1.8V电源电压时线性输出功率15dBm,功耗为18dBm。