【摘 要】
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硅酸镓镧(LGS)系列新型压电单晶是目前压电领域的研究热点,其中SrGaGeO(SGG)单晶是压电性能最为优异的声表面波器件基片材料.目前,有关SGG晶体生长的报道极少,基本性能方面的
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硅酸镓镧(LGS)系列新型压电单晶是目前压电领域的研究热点,其中Sr<,3>Ga<,2>Ge<,4>O<,14>(SGG)单晶是压电性能最为优异的声表面波器件基片材料.目前,有关SGG晶体生长的报道极少,基本性能方面的数据也十分缺乏.该文通过对SGG晶体文献的深入调研和详细分析,提出了坩埚下降法生长SGG单晶的研究方案,系统地开展了生长、缺陷、性能等方面的研究工作.在下降法生长方面,先后开展了自发成核生长、接种生长和掺杂生长等工作.利用LGS晶种,成功生长出φ28mm×70mm的透明晶体.测定了晶体结构和晶胞参数,成分分析表明所得SGG晶体中几乎探测不到LGS成分.研究了SGG晶体中的宏观缺陷.结合生长条件探讨了晶体的开裂成因;发现了无规则团状、絮状包裹物和管状包裹物;提出了减少晶体缺陷的措施.研究了SGG晶体的基本物理性能,发现SGG晶体具有良好的机械加工性能和光学性能,其热膨胀随温度作近似线性变化且在不同方向上的变化相对均匀.
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