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【摘 要】
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铌酸锂(LiNbO_3,LN)作为一种人工合成晶片,具备优良的压电、光电以及铁电特性。在器件向集成化、微型化发展的趋势下,对高质量LN薄膜在Si衬底上的制备有着迫切需求。然而,采用传统的薄膜制备方法生长LN薄膜,受限于晶格失配、LN化学计量比不易控制等因素,导致在Si衬底上制备的LN薄膜质量、性能远远无法同LN单晶晶片相比。在此背景下,本论文以晶片键合技术和离子注入剥离技术为基本手段,研究在Si衬
【机 构】
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电子科技大学
【发表日期】
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2017年01期
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