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第三代宽禁带半导体材料,特别是以氮化镓(GaN)为代表的三族氮化物半导体材料及其合金因其具有禁带宽度大,波长覆盖范围广,高温性能好等优越的特点而得到极大的关注和研究。目前,氮化镓及其合金被广泛应用在发光LED、半导体激光器和光电探测器等领域。由于氮化镓具有很高的n型本底载流子浓度,P型氮化镓的获取一直是个难题。目前,通过对掺镁的氮化镓进行快速的高温退火可得到高质量的P型氮化镓。氮化镓材料光学常数的研究对氮化镓基的紫外波段的光电探测器有着重要作用,对于带隙之上波段的光学常数的研究尚无定论,因此对氮化镓