近年来,溶液法制备的全无机钙钛矿量子点（CsPb X₃QDs,X=Cl、Br、I）以其独特的光学特性、超高的光致发光量子产率（PLQY）和简单的合成工艺等优点吸引了科学界的广泛关注。相比于绿光CsPbBr₃QDs具有较高的光致发光量子效率,蓝光CsPb（Br/Cl）₃QDs材料的PLQY相对较低,这使得如今制备出来的蓝光QLED器件性能相对较差。与此同时,全无机钙钛矿量子点表面配体油酸油胺在加热、潮湿、光照等条件下会脱落,造成钙钛矿量子点的荧光性能大幅下降。本文主要研究了通过改变全无机钙钛矿量子点表面配体提高热稳定性,以及为了提高蓝光钙钛矿量子点的PLQY进行铁掺杂处理并使用小分子材料C8-BTBT与钙钛矿量子点复合制备高离散的蓝光发光层,并将其作为发光层材料应用于蓝光QLED器件中,主要内容如下:（1）通过将小分子材料噻吩-3-硼酸（TBA）作为配体,在钙钛矿量子点表面与油酸油胺共同形成三配体结构。作为短链小分子材料,TBA与全无机钙钛矿量子点的作用力要远远强于油酸油胺与全无机钙钛矿量子点的作用力,这样即使在加热条件下,配体噻吩-3-硼酸也不会脱离钙钛矿量子点表面,可以有效避免钙钛矿量子点因加热而产生的聚集现象。实验研究表明,拥有噻吩-3-硼酸作为配体的全无机钙钛矿量子点薄膜在120摄氏度加热70分钟后,依旧可以保持原有钙钛矿量子点50%的PLQY,以及50%的荧光强度。（2）通过Fe元素对CsPb（Br/Cl）₃QDs进行B位掺杂,获得光学性能表现更优秀的蓝光钙钛矿量子点。由于离子半径较小的Fe离子部分取代了离子半径较大的Pb离子,造成晶格收缩并减少量子点的表面缺陷态,使得CsPb（Br/Cl）₃QDs在整个蓝光波段的PLQY都有较为明显的提升。铁掺杂除了有效减少钙钛矿量子点的表面缺陷态,还可以将蓝光CsPb（Br/Cl）₃QDs的平均寿命从1.42 ns提高到7.02ns。此外还可以提高蓝光钙钛矿量子点的稳定性,在冰箱中存放190天之后量子点溶液PLQY依旧高达40%,我们使用铁掺杂的蓝光量子点作为发光层得到亮度为11.5 cd/m²的蓝光QLED,在相同条件下未掺杂的钙钛矿量子点所制备的QLED亮度仅仅为0.5 cd/m²。随后为提高电流注入效率,我们使用高迁移率的小分子材料C8-BTBT与蓝光钙钛矿量子点复合,形成高离散的量子点发光层,并使用倒置器件结构,以高离散蓝光量子点为发光层制备得到10.8 cd/m²的蓝光QLED,并从电流对比可以看出,由于C8-BTBT的复合,大幅提高了载流子的注入能力。