高功率密度变换器是一种应现代电子产品的小型化、轻型化发展趋势而新近出现的开关功率变换器,其优点在于能大大降低在系统中为电源模块分配的体积。目前学界对该类变换器的关注还停留在动态特性、温度特性及效率等系统电参数层面,而对其独特EMI特性的研究还远远不够。事实上,EMI作为功率变换器产品化中的认证标准之一,对系统的可靠性有重要影响。因此,研究高功率密度变换器的EMI特性具有重要的学术意义和实用价值。本文针对采用同步整流LLC谐振半桥拓扑的高功率密度变换器中存在的EMI研究模型复杂、平面变压器及多层PCB对系统EMI特性的影响及由过孔导致的栅极驱动近场耦合干扰等核心问题进行了研究。主要创新成果如下:1. 以LLC谐振高功率密度变换器为研究对象,提出了解析/数值混合(HAN) EMI模型。该模型结合噪声路径与EMI接收机算法,并应用二分逼近、截断取值等方法,大幅降低了模型复杂度与计算资源消耗,基于该模型,在系统设计时便可对EMI情况进行预测。仿真结果显示,误差可控制在±3dBμV以内,达到了快速、精确预测的目的。2.通过修正平面变压器绕组电压梯度描述,提出了更精确的寄生电容解析算法,并以此建立了三电容式平面变压器等效模型,该模型能更好地描述EMI噪声传递特性。结合该模型,进一步揭示了 EMI噪声通过原副边互电容传递的机理。3.提出了一种新型并联等电位式平面变压器结构。该结构采用特殊的绕组并联结构,使相邻层绕组间电势相等,在不降低耦合效率及器件集成度的前提下,可使原副边间互电容减小90%以上。4.揭示了多层PCB传递EMI共模与差模噪声的特殊机理,并基于理论分析提出了一种新型多层PCB铺地层屏蔽结构。仿真结果显示,该结构可有效减小噪声节点对地等效电容达56%。5.设计并研制了基于平面变压器与多层PCB新结构的EMI优化样机,实测结果显示,其EMI噪声在全频段下降9dBμV以上,个别频段最高下降达30dBμV以上。6.修正了 P/G层谐振理论中谐振频率端接大导纳时造成的阻抗计算误差;在此基础上利用Z参数转换,提出了双层与多层P/G结构中的过孔间近场耦合干扰模型;并应用模型分析了过孔结构参数对近场干扰的影响。实验表明,基于分析结果提出的优化方案可使驱动耦合噪声尖峰降低30%以上。