Cu2Se材料的相选择合成及α-Cu2Se/β-Cu2Se相变机理研究

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Cu2Se化合物为本征p型半导体,具有2.2 eV的直接禁带宽度和1.4 eV的间接禁带宽度。因间接带隙接近光伏吸收层材料的最优值,被认为非常适合用作光电转换材料。此外,?相Cu2Se结构中Cu原子具有类似于液体的移动性,使Cu2Se成为同时具有高电导率和低导热率的离子电子混合型超离子导体,因其符合“电子晶体-声子玻璃”的热电材料概念而在近几年持续受到广泛关注。Cu2Se材料具有分别属于四方晶系、正交晶系、斜方晶系、立方晶系等多种晶系的不同物相,但长期以来仅有立方晶系Cu2Se的应用受到广泛的关注,
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