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【摘 要】
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该论文以分子束外延(MBE)为主要实验手段,对Si/SiGe异质结及其器件进行垂直输运与平行输运两方面的研究.
【机 构】
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中国科学院物理研究所
【出 处】
：
中国科学院物理研究所
【发表日期】
：
1997年期
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