在众多半导体中,氧化锌(ZnO)因其独特的理化性质,成为数十年间研究的热点。相较于纯ZnO,金属/ZnO复合纳米材料可以表现出更好的导电性能、更高的发光效率和稳定性。因此,制备和应用金属/ZnO复合纳米材料成为近段时期的热点之一。本文利用化学气相沉积法制备ZnO纳米带,通过扫描电子显微镜表征样品形貌。利用微栅模板法制作了单根ZnO纳米带微电极器件,用Au、Pt纳米颗粒对ZnO纳米带及其微电极器件进行修饰。分别在单根ZnO纳米带、Au/ZnO和Pt/ZnO复合纳米带上的不同位置进行光致发光原位测试实验,以此研究表面等离子体与缺陷态密度对ZnO纳米带近带边发射的增强的影响。结果表明,溅射Au、Pt纳米颗粒使ZnO纳米带近带边发射得到极大的增强,缺陷发射几乎淬灭。证实不同的纳米带以及同一纳米带上不同点的缺陷态密度不同,缺陷态密度越大,其近带边发射的增强率就越大。其中Pt纳米颗粒对单根ZnO纳米带光致发光性质的影响还未见报道。光致发光的原位测试方法适用于逐点研究金属表面等离子体共振对半导体带边发射的增强效应,有助于研发高效率固态光发射器。利用半导体参数测量仪测得器件在紫外光辐照和暗环境下的I-V特性曲线,研究了影响单根ZnO纳米带光电流和暗电流的因素。结果表明,Au纳米颗粒对光电流与暗电流的影响不同:光电流随Au纳米颗粒的增多呈现先增大减小的变化趋势,而暗电流随Au纳米颗粒的增多呈现持续增大的变化趋势,讨论了可能的机理。