【摘 要】
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SrTi03(STO)材料具有很高的介电常数，有望取代传统的SiO2成为下一代门氧化物材料，因此硅基SrTi03薄膜生长受到广泛关注。SrTi03薄膜生长初期阶段的研究对界面结构理解以及之后
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SrTi03(STO)材料具有很高的介电常数，有望取代传统的SiO2成为下一代门氧化物材料，因此硅基SrTi03薄膜生长受到广泛关注。SrTi03薄膜生长初期阶段的研究对界面结构理解以及之后对生长界面的控制都起着至关重要的作用。在本论文中，利用脉冲激光沉积术(PLD)在Si(001)表面沉积SrO，经退火形成Sr原子钝化层，再生长lnm厚的SrTi03非晶薄膜；样品在700℃左右的高温下退火。利用扫描隧道显微镜(STM)研究SrTi03薄膜在Si(001)表面的初期生长情况。
第一章：介绍了硅基SrTi03薄膜的研究背景，并介绍了实验主要使用的技术：脉冲激光沉积术(PLD)和扫描隧道显微镜(STM)的工作原理。
第二章：介绍了Sr/Si界面的研究背景。在Si衬底上沉积了0.5nm厚的SrO.然后对样品进行高温退火，通过控制退火温度，就可以得到Sr/Si(001)-(2xl)和(2x3)重构表面。
第三章：对在Sr/Si界面上SrTi03薄膜生长初期阶段进行了研究。在Sr/Si(001)表面沉积了lnm厚的SrTi03非晶薄膜，然后将样品进行退火处理。退火后样品表面形成许多纳米岛。对纳米岛原子结构进行了高分辨的STM研究，并确定这些纳米岛为C49-和C54-TiSi2。
实验表明在700℃的高温下Sr/Si界面上生长的SrTi03薄膜可能会形成TiSi2纳米岛。在无氧气氛退火条件下，Sr/Si界面可能无法有效阻止SrTi03薄膜与Si衬底之间的硅化作用。
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