纳米ATO导电功能材料制备技术

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ATO(掺锑二氧化锡)超细导电粉体具有良好的导电性、浅色透明性等优点,是目前抗静电涂料中的研究热点,有广阔的市场应用前景.该实验以SnCl<,4>·5H<,2>O、SbCl<,3>为主要原料,分别采用共沉淀法与络合沉淀法制备得到纳米级ATO导电功能粉体.运用差热-热重(TG-DTA)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等测试方法对ATO粉体进行表征.研究了制备工艺(如锑掺杂量、反应温度、反应pH值、热处理等)对ATO粉体粒径和导电性能的影响,并探讨其影响机理,得到最佳工艺参数.并比较了两种制备方法得到的粉体的性能.用络合沉淀法制备粉体时,研究了不同络合剂及络合剂加入量对ATO粉体粒径和导电性能的影响,同时还研究了ATO粉体的分散性能.
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