传统的LDO需要外接一个大的输出电容,起到稳压、滤波的作用,但由于大电容占据大幅面积,不利于集成在片内,与片上系统（System on Chip,So C）的发展趋势不兼容。因此,无片外电容LDO近年来成为一大研究热点。此研究的难点在于去掉输出端大电容后,只能通过片内补偿的形式进行补偿,且只能通过自身环路的高响应速度来尽可能减少负载突变造成的不良影响,这给无片外电容型LDO环路稳定性和瞬态特性的改善带来了双重难题。因此,设计一种全负载范围内能稳定且瞬态特性较好的LDO具有重要的现实意义。本文针对这些问题开展了相应的研究。在稳定性方面,对无片外电容型LDO的稳定性进行了分析,得出了未补偿时极零点的分布图。然后根据阻尼系数控制理论对系统的极零点进行了分析和设计,通过设计阻尼系数控制单元的跨导和电容使系统产生一对共轭复极点以及一对零点从而保证了系统在全负载范围内的稳定性。在改善瞬态响应方面,本文利用晶体管的衬底偏置效应设计了一种高带宽的衬底调制放大器用以调节调整管的衬底电压变化,能够在不增加调整管面积的条件下间接增大其跨导能力,并与高增益的误差放大器结合在不减小环路增益的条件下拓展了带宽,最终改善了系统的瞬态响应。最终本文基于华虹0.35μm BCD工艺设计了一种无片外电容的LDO结构。可在-40℃～125℃的温度范围内、2.5V-3.7V的输入电压范围内稳定输出2.3V的输出电压,最小压差为200mV。线性调整率0.018%/V,负载调整率0.06%/A,表现较为良好。当负载在100μA和100m A之间跳变时（上升时间1μs）,恢复响应时间较快,只需3-4μs。其中最大欠冲111.6mV,最大过冲77.6mV。