【摘 要】
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该文深入研究了光电转换机制和光电晶体管的工作原理及直流特性,把多晶硅发射极、隔离环结构和穿通机制引入器件结构设计中,讨论了器件结构和工艺条件对性能的影响,并通过一
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该文深入研究了光电转换机制和光电晶体管的工作原理及直流特性,把多晶硅发射极、隔离环结构和穿通机制引入器件结构设计中,讨论了器件结构和工艺条件对性能的影响,并通过一系列实验找到最佳的工艺条件,研制成功这种"新结构多晶硅发射极光电晶体管",获得了G=3386的光电增益,表明该器件在高灵敏度探测器领域具有广阔的前景.该文提出的这种带有隔离环电极,工作在穿通状态下的晶体管结构是由朱恩钧教授提出来的.作者实验室已将此结构在GaAs/GaAlAs材料和Si材料上获得成功;将多晶硅发射极引入光电晶体管也属创新探索.
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