【摘 要】
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该实验采用改进的常压化学气相沉积(APCVD)方法,以SiH-NH-N系统为主,在低于平板玻璃软化点的温度下在玻璃基板上制备氮氧化硅薄膜,并运用SEM、FTIR、紫外-可见分光光度计、XR
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该实验采用改进的常压化学气相沉积(APCVD)方法,以SiH<,4>-NH<,3>-N<,2>系统为主,在低于平板玻璃软化点的温度下在玻璃基板上制备氮氧化硅薄膜,并运用SEM、FTIR、紫外-可见分光光度计、XRD、TEM等测试技术,详细地研究了氮氧化硅薄膜的结构、成份和性能之间的关系,以及反应气体比例、基板温度气体流量等影响薄膜性能的各种因素.实验还探讨节氮氧化硅薄膜的形成基理及影响沉积速率的因素,发现氮氧化硅薄膜为三维成核,沉积速率与温度气体流量之间有密切关系.
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