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【摘 要】
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一维半导体纳米材料展现出不同与薄膜和体材料优越的电学和光电特性，基于纳米结构构建的纳米传感器件的研究引起广泛的关注。ZnS是重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体，禁带宽度为3.7eV，
【机 构】
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合肥工业大学
【出 处】
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合肥工业大学
【发表日期】
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2012年期
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