肖特基二极管的蒙特卡罗模拟

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该论文介绍了MC器件模拟的基本原理,包括半导体中电子的输运性质,电子在半导体中的散射机制和能带结构,半导体中的电子在电场飞行的处理方法.在MC器件模拟中,采用自洽的方式完成半导体内电场的刷新工作.通过模拟电子波包在恒定电场下的运动情况,检验了所采用的物理模拟和程序结构.在论文中对SBD的物理模型进行了研究,对SBD中隧道电流的影响和计算,Schottky效应对SBD的影响进行了进一步的讨论.该论文是国内首次对MC 模拟SBD进行研究工作,对研究MC器件模拟有着重要的意义.
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