【摘 要】
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本论文采用在较低温度下可以与碳化硅颗粒形成结合的材料，制备了具有一定强度和气孔率的碳化硅多孔陶瓷。通过XRD、FTIR、TG-DTA等手段表征了聚碳硅烷的结构和热解情况。
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本论文采用在较低温度下可以与碳化硅颗粒形成结合的材料，制备了具有一定强度和气孔率的碳化硅多孔陶瓷。通过XRD、FTIR、TG-DTA等手段表征了聚碳硅烷的结构和热解情况。
本文讨论了在空气中180℃、1h氧化交联处理对聚碳硅烷产生的影响。采用聚合物陶瓷前驱体聚碳硅烷作为结合材料，研究了碳化硅颗粒的粒度、聚碳硅烷含量等参数对多孔陶瓷的孔径分布、气孔率、强度等结构和性能指标的影响。通过HRTEM、SAED等表征手段可以确定纳米线的生长方向为<111>，讨论了纳米线的VLS生长机制。用粘土、滑石、氧化铝等原料与碳化硅粉混合，选取SiC含量为60wt﹪的组分，在1360℃烧成，制备并表征了碳化硅－堇青石复合多孔陶瓷。
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