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【摘 要】
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InGaN基太阳能电池的理论效率很高,但是实际制作的器件性能都比较差,其中既有InGaN材料质量的问题,也有器件结构设计方面的问题。此外由于其特殊的晶体结构,InGaN材料具有很强的极化效应,对太阳能电池性能产生很大的影响。因此,器件结构设计、材料缺陷和极化效应的研究对InGaN太阳能电池有着重要意义。论文主要内容如下:对含有带尾缺陷的单结p-In0.65Ga0.35N/n-In0.65Ga0.3
【机 构】
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河北科技大学
【发表日期】
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2015年01期
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