钙钛矿锰氧化物La1-xMnO3/y wt％Nb-SrTiO3外延薄膜异质结因其在磁记录、磁探测和磁传感器等方面的潜在应用价值，以及它所包含的深刻科学意义而受到大家的重视。2002年，Tanaka等人在Nb掺杂的SrTiO3(STON)导电衬底上直接生长La0.9Ba0.1 MnO3薄膜制成p-n结，使得这一领域的研究成为凝聚态物理的热点问题之一。本论文是攻读硕士学位期间学习和研究工作的总结，首先综述与本工作相关课题情况，然后介绍这期间的研究工作。　　 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了La1-xMnO3/y wt％Nb-SrTiO3外延薄膜异质结样品，其中的部分样品被置于纯氧气中退火，用X射线衍射对这些样品的晶体结构进行了分析，采用四探针法在物理特性测量系统(PPMS)中，测得磁场高到9T，温度范围从10K到380K，每10K为一个温度间隔的样品的I-V输运特性。　　 样品的I-V特性曲线表明：La1-xMnO3/y wt％Nb-SrTiO3外延薄膜异质结有一般p-n的特性，I-v曲线随着温度的下降，曲线正向部分向右移动，曲线反向部分向左移动；磁场对I-V曲线的调制作用具有很强的不对称性，La1-xMnO3/ywt％Nb-SrTiO3外延薄膜异质结的等温I-V曲线都不会通过始点(I=0，V=0)，出现大的不对称的回滞，我们认为是La1-xMnO3薄膜和衬底交界面的结电容引起这种不对称的回滞的出现；磁场对La0.7MnO3-δ/0.8 wt％Nb-SrTiO3、La0.7MnO3-δ/0.05 wt％Nb-srTiO3外延薄膜异质结的调制行为是类似的，击穿电压随着磁场的增强而线性的减小，而对La0.9MnO3-δ/0.05wt％Nb-SrTiO3外延薄膜异质结明显不同，当H≤6T时，击穿电压Vb随着磁场的增强而线性的减小，当H>6T时，击穿电压Vb和磁场无关，利用公式(Vb(H)-Vb(0))/Vb(0)*100％计算了击穿电压的相对变化率和磁场的关系，对La0.7MnO3-δ/0.8 wt％Nb-SrTiO3、La0.7MnO3-δ/0.05 wt％Nb-SrTiO3外延薄膜异质结来说，行为是类似，击穿电压的相对变化率随着磁场的增强而线性的减小，对于La0.9MnO3-δ/0.05 wt％Nb-SrTiO3外延薄膜异质结，在H≤6T时，它的击穿电压的相对变化率随着磁场的增强而线性的减小，当H>6T时，它的击穿电压的相对变化率和磁场无关，当磁场H≥6T时，击穿电压的相对变化率达到70％，表明y wt％Nb-SrTiO3衬底中Nb的含量y和La1-xMnO3中载流子密度x影响了磁场调制特性。