电荷俘获存储器工作过程中包含隧穿,陷阱辅助隧穿,载流子俘获,激发和发射机制,受温度影响的热电子发射和Poole-Frenkel效应,电荷复合机制和包含驰豫的传输机制,局部积累电荷等各种影响存储器工作性能的物理机制。当电荷俘获存储器工作在沟道至栅方向上有电压偏置,源漏无电压偏置的工作模式下,现有的一维模拟程序能进行很好的分析和研究,但对器件工作在上述两个方向都有电压偏置的这一工作模式时,需要改进模拟程序。　　本文详细总结了陷阱辅助隧穿工作机制,给出隧穿几率的计算方法和可程序化的物理模型,并结合模拟程序结果从各个方面分析该模型对器件性能的影响。完成电荷俘获存储器的二维网格划分,编写了二维泊松方程的求解模块,推导出多层介质材料下的二维泊松离散化模型,实现该模型的C++程序,并验证了程序结果的正确性。将该模块加入电荷俘获存储器的模拟程序中,实现电荷俘获存储器的二维模拟,比较和验证了电荷俘获存储器在一维和二维的模拟结果。主要研究内容包括：⑴改进了电荷俘获存储器中陷阱辅助隧穿模型,结合模拟结果从多个方面分析了该模型对电荷俘获存储器性能的影响；⑵编写出二维泊松方程的求解模块,完成多层介质材料下的二维泊松方程的离散化,开发了多层:介质材料下的五点差分C++程序,并验证其结果的正确性；⑶在原有的一维模拟程序基础上,通过加入二维泊松模块,实现了电荷俘获存储器的二维模拟,并对模拟程序结果进行了验证。