随着半导体技术的快速发展,固态器件开始广泛应用于雷达、通信、遥测、宇航和电子战等领域。固态功率放大器与电子管相比,具有可靠性高、长寿命、工作电压低、故障软化等优点。发射机是微波毫米波系统必不可少的关键部分,近年来,由于半导体功率器件工艺的进步和成本的降低,微波固态发射机越来越多的为各类微波系统所采用。人们常用的放大器有双极性晶体管(BJT)、砷化镓场效应晶体管(GaAs MOSFET)、边缘扩散场效应晶体管(LDMOS FET)等,由于LDMOS FET具有频带宽、供电方便、稳定可靠等优势,所以被广泛的应用,本文后面两级主要就是采用LDMOS FET晶体管。在单个器件输出功率有限的情况下要提高系统的输出功率,采用功率合成技术是一种有效的解决问题的方法。本文针对微波固态功率放大器的技术现状,并结合应用需要,选取了推挽功率放大器,来研制脉冲输出功率200W以上的微波固态功率放大器。论文首先介绍了微波固态功率放大器的进展,然后从理论上阐述了微波固态功率放大器的性能指标和非线性分析方法,接着介绍了常用的功率合成技术,并着重介绍了推挽功率放大器。接下来,也是本文的重点,在方案的制定和无源电路设计过程中开展了以下的研究分析工作:将系统划分为微波功率放大器和脉冲调制器两大模块,采用对GaAs FET功放芯片进行漏极脉冲调制方式实现良好的脉冲时域参数指标。功率放大器采用三级放大电路来实现:前级放大器、驱动级放大器和末级推挽放大器,对单管功率放大器的基本匹配原理、偏置电路的设计、负载牵引技术等都做了详细的分析和研究。通过Agilent公司的高级设计系统综合分析软件ADS和调用Freescale的模型库对功放进行仿真和优化。并且,对设计的功率放大器制作了实物,并进行了调试,以便验证设计的准确性。最后对该设计电路中的不足失误进行分析总结。本文完成了900MHz的峰值功率大于200W的固态功率放大器的仿真和制作,测试和仿真结果表明:在900MHz可获得的最大脉冲功率大于200W,大信号功率增益大于50dB,脉冲宽度为200us,占空比为1%,该功率放大器完全达到并优于设计指标。