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来源 :华南理工大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
半导体量子阱的杂质离子可以位于量子阱的中心或偏离中心一定的距离d.该文采用绝热近似和打靶法,求解了施主杂质态的薛定谔方程,研究体系能谱的变化规律.首先,我们研究了无限
【作 者】
:
贺卫国
【机 构】
:
华南理工大学
【出 处】
:
华南理工大学
【发表日期】
:
2002年期
【关键词】
:
量子阱
杂质态
龙格-库塔法
绝热近似
打靶法
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