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【摘 要】
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本论文首先制备了高质量的ZnO薄膜,然后在室温下进行40 keV N、80 keV N、400 keV Xe、1 MeV Bi离子注入实验和3.64 MeV Xe、5 MeV Bi、308 MeV Xe、2.03 GeVkr离子辐照实验,
【机 构】
：
中国科学院大学
【出 处】
：
中国科学院研究生院 中国科学院大学
【发表日期】
：
2009年期
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